磁控濺射實(shí)驗(yàn)設(shè)備 NH-MG系列 | ||||
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NH-MG300TEP | NH-MG500TEP | NH-MG800TEP | |
真空室尺寸 | Ф300×H300mm | Ф500×H500mm | Ф800×H800mm | |
可鍍區(qū)域 | Ф50mm 平面基片 | Ф100mm 平面基片 | Ф500×H500mm 掛鍍 | |
靶數(shù)量 | 1-2 | 3-4 | 4-6 | |
真空系統(tǒng) | 機(jī)械泵+分子泵 | 機(jī)械泵+羅茨泵+分子泵 | ||
極限真空 | 8×10-5pa | 5×10-4pa | ||
抽氣時(shí)間 | 充惰性氣體換基片的情況下抽到5×10-4Pa≤30分鐘 | 抽到5×10-3Pa≤30分鐘 | ||
工件旋轉(zhuǎn) | 旋轉(zhuǎn)升降基片臺(tái),轉(zhuǎn)速0-30轉(zhuǎn)/分 | 6軸公自轉(zhuǎn)/變頻無(wú)級(jí)調(diào)速 | ||
基片加熱 | 最高600℃ | 最高400℃ | ||
電源類(lèi)型 | 直流磁控電源、脈沖直流電源、中頻磁控電源、射頻磁控電源 | |||
靶類(lèi)型 | 直流磁控靶、中頻孿生靶、平面靶、圓柱靶、強(qiáng)磁靶 | |||
真空室結(jié)構(gòu) | 立式單開(kāi)門(mén) | |||
氣體控制 | 質(zhì)量流量控制儀(1-4路) | |||
控制方式 | PLC智能控制+HMI全彩人機(jī)觸控界面,實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)控制 | |||
應(yīng)用領(lǐng)域 | 金屬與化合物功能薄膜的制備,半導(dǎo)體、光電、新能源、磁性、量子器件的研發(fā) |